[News] Флеш-память на ферроэлектриках может стать терабайтно

Мнения и споры по поводу новостей, статей и прочих материалов
Закрыто

Аватара пользователя
Ozone
Академик (6 lvl)
Сообщения: 1975
Зарегистрирован: Сб фев 19, 2005 12:17

Сообщение Ozone » Ср май 10, 2006 12:32

Технология позволяет стабилизировать поведение ферроэлектрических (cегнетоэлектрических) материалов на наноуровне. Эти материалы обладают собственным дипольным моментом, который можно изменять внешним воздействием электричества. Однако, из-за его нестабильности использовать их как ячейки для памяти было невозможно.
Однако, память на сегнетоэлектриках уже несколько лет как выпускают.
Например, http://www.ramtron.com/doc/Products/non ... efault.asp.
Другое дело, что размеры ее пока невелики.
NOKIA N900

Закрыто

Вернуться в «Обсуждаем материалы HPC.ru»