HPC.ru lite - Все форумы
Форум: Культурный флейм, слухи
Тема: Windows Mobile 5 убивает встроенный флеш
Страницы: 1 2 [3]

[Ответить]
Polosatiy_io [09.11.2005 10:09] :
Итого имеем: Флеш память имеет большой, но точно ограниченый ресурс по чтению/записи, в HDD, в теории гораздо более выносливые при условии идеальной подвески механических частей. Последнее условие и является слабым звеном - человеческий фактор, мельчайшие дефекты и многое другое. Искоренение этих производственных рисков, естественно, удорожает производство.
Вывод: качественный (а по тому дорогой) HDD гораздо долговечнее Флэш-памяти, но в нем все-же больше случайных факторов, которые могут привести к преждевременной кончине.

Интересно, а в КПК можно использовать что-то типа файла подкачки?
ВадимП [09.11.2005 10:14] :
На самом деле, я думаю, что корректнее было бы говорить где-то о миллионе перезаписей. Хотя бы потому, что во-первых, карта основана на микросхемах с логикой NAND, которые на порядок, долговечнее NOR, а во-вторых, карта имеет собственный контроллер, который старается уменьшить износ носителя, постоянно меняя отображение логических блоков на физические с целью более равномерного распределения операций записи.
sparrowson [09.11.2005 10:17] :
HDD имеет проблемы с магнитами зато.

Самый долговечный - это, пожалуй, всё же CD.

Хотя тут сравнение ПММ уже не совсем корректно - мы сравниваем устройство с болванкой. Тогда уж надо сравнивать HDD c CD-ROM со вставленным диском.

Вообще, как мне кажется, это вопрос скорее "как", а не "на чём" хранить данные.
Darkcat [09.11.2005 10:52] :
У HDD своих проблем хватает. Хотя там не происходит физической деградации слоя, зато каждый старт-стоп очень больно лупит по головке. Пока она взлетит (это примерно как Боинг летящий на высоте 1 см) она царапается пылью. И в момент старта страдают мосфеты питания. Стартовый импульс обычно очень значительный.

CD-R, CD-RW и проч. тоже далеко не идеальны. Процесс записи там основан на изменении свойств материала под действием энергии. Так что выставив CD-R на солнышко мы получаем примерно то же, что и при записи. Тоесть то, что там не вскипело в момент записи вскипит попозже. У CD-RW есть старение слоя. Всетаки мы переплавляем кристаллы достаточно приличным импульсом. Да и поликарбонат не вечен, это не стекло. Еще клей, защитный слой. От нагревания при записи и чтении слои разрушаются и расслаиваются.

Так что единственным надежным носителем можно считать CD и DVD, которые штампуют на заводах. Или перфокарты из золота
[CpD]bob [09.11.2005 11:10] :
2ВадимП - респект.

Но где-то наткнулся на буржуйском сайте на промышленный флешдиск в стандартном 2,5-дюймовом формфакторе, где сравнивался такой показатель, как MTBF - время наработки на отказ. Не вспомню сейчас, чтобы отличалось на порядки, хотя надо поискать и перечитать, самому интересно стало.

2sparrowson - Сравнение камер не совсем корректно. Та же цифровая линейка EOS - зеркалки, по конструкции схожие с плёночными. Следуя вашей логике там изнашивается матрица...
Ozone [09.11.2005 11:33] :
Возможно, что так оно и есть.
Одно дело просто массив NAND или NOR флэш-памяти, а другое дело флэшдиск.
Используя избыточность, механизмы коррекции ошибок и равномерного распределения перезаписываемых секторов можно добиться схожих показателей. Но при этом, какой ценой!
Не думаю, что в КПК в качестве файлстора ставят уж слишком «умную» флэш-память.

sparrowson [09.11.2005 16:22] :
2 Darkcat - да, я штампованные CD как раз и имел в виду.
2 [CpD]bob - всё-таки электроника сыплется быстрее - в частности из-за мороза и жары. Ну это я действительно не в тему...
2 ВадимП - 100000 - это я почти с потолка взял Скорее для того, чтобы показать, что и такие flash-носители могут служить достаточно долго...
2 Dart - в общем-то, с какой стороны подойти - если хранить на полке, предпочтительнее CD (им только растворители и гамма-излечение страшны, а вот для HDD какой-нибудь магнитик может обернуться потерей части данных). В общем... фиг его знает... Смотреть надо.
ВадимП [09.11.2005 16:54] :
Dart: чтобы кратко ответить на все Ваши вопросы, достаточно, по сути, ответить только на один: почему в процессе перезаписи происходит изменение физической структуры транзистора и что именно вызывает разрушение прослойки диэлектрика да так, что ее сопротивление в процессе этого разрушения не уменьшается, а возрастает.
Частично я попытался дать ответ в своем предыдущем письме: износ вызывается электронами, которые "впрыскиваются" сквозь этот самый слой для изменения заряда плавающего затвора.
Грубо говоря, управляющий затвор на это время превращают в электронную пушку, которая бомбардирует электронами плавающий затвор до тех пор, пока на нем не будет создан необходимый заряд.
В износ материала под действием бомбардировки электронами (пример - обычная электронно-лучевая трубка в телевизоре), я надеюсь, Вы верите?
Кстати, прослойка действительно утолщается (как бы разбухает) в процессе износа.
Собственно, вероятность туннелирования зависит в основном от двух параметров: высоты потенциального барьера и его толщины (на самом деле несколько больше, потому что в туннельном эффекте Фоулера-Нордхайма барьер имеет не классическую прямоугольную, а скорее треугольную форму - потенциал управляющего затвора влияет на высоту барьера.
В нашем случае растут оба параметра.
Более подробно об этом почитать, например, тут: http://www.research.ibm.com/journal/rd/444/ludeke.html
Ozone [09.11.2005 17:37] :
ВадимП верно излагает. Так оно и есть.

2sparrowson
Цифру 100000, я, например, взял из документации на карточки MMC/SD. Думаю, что файлстор в КПК сделан по той же технологии.
[Ответить]
[< Назад]