Компания IMFT (IM Flash Technologies), являющаяся дочерним предприятием компаний Intel и Micron Technology, объявила об успешном завершении разработки флэш-памяти, имеющей скорость чтения 200 Мб/с и скорость записи 100 Мб/с. Эти показатели являются на сегодняшний день рекордом для всех существующих типов флэш-памяти. Прототипы новой памяти уже активно испытываются, а появление первых продуктов, использующих новую память, ожидается во второй половине 2008 года.

Новая память от IMFT относится к типу NAND-SLC (одноуровневая структура ячеек) и удовлетворяет спецификации ONFI 2.0. Быстродействие новой разработки опирается на более высокую тактовую частоту и на "четырёхполосную" архитектуру. Чипы изготовляются по 50-нм нормам техпроцесса.

В ближайшее время цены на новую память будут довольно высоки, но на фоне топовых моделей компьютеров, для которых эта память предназначена, прирост в цене будет терпимым и скрасится общим приростом производительности системы.