Последнее время шло активное сотрудничество исследовательской группы Университета штата Аризона и Технического университета Эйндховена в Нидерландах. Ученые работали над созданием лазеров значительно меньших размеров, чем доступны на сегодняшний день.

По существующей теории, хотя бы один из габаритов лазера не может быть меньше половины длины излучаемой волны. Следовательно, невозможно создать лазерную систему, обладающую меньшими размерами, чем этот предел, составляющий 250 нм для полупроводниковых излучателей, использующихся в телекоммуникационных устройствах.

Для преодоления этого ограничения было решено совместно использовать полупроводники и металлы (золото и серебро). В этом случае полупроводник имеет толщину около 80 нм и заключен между 20-нм диэлектрическими слоями, на которые затем наносится металл, что позволяет создать лазерную систему с максимальным габаритом около четверти длины волны и даже еще компактнее.

Создание самого маленького в мире полупроводникового лазера может привести к весьма ощутимым усовершенствованиям в области коммуникаций, в компьютерной электронике и медицине.