Toshiba начала поставки образцов микросхем флэш-памяти NAND-типа объемом 1 Гбит, которые компания разработала совместно с американской компанией SanDisk. Новые микросхемы будут производиться по 0,13-мкм технологии. NAND-тип памяти разработан для улучшения характеристик перезаписи и повышения плотности по сравнению с NOR-типом памяти и применяется в съемных картах памяти типа Smart Media, Compact Flash и Secure Digital. Впервые компания представила гигабитную память в ноябре прошлого года, применив технологию многоуровневой ячейки для хранения нескольких битов информации в одной ячейке памяти. В то же время, многоуровневая технология снижает скорость чтения данных из памяти. Совместная работа над NAND-типом флэш-памяти началась в 1999 году. К февралю 2002 года партнеры могли разработать флэш-память объемом до 1 Гб. В последнем варианте использовалась технология одноуровневой ячейки, позволяющая наиболее быстро считывать данные. Кроме того, используя 0,13-мкм технологию, разработчики смогли уменьшить размеры самого чипа.

Память будет выпускаться в двух вариантах упаковки - TSOP (thin small outline package) и LGA (land grid array), а массовые поставки продукта начнутся в конце этого года, и их объем должен составить около 300 тыс. единиц в месяц. Также Toshiba собирается начать коммерческий выпуск флэш-памяти объемом 2 Гб, представляющей собой комбинацию двух модулей по 1 Гб. Образцы такой памяти должны появиться в октябре, а в широкую продажу устройство должно поступить до конца года.