Проблема хранения информации присуща практически всем электронным устройствам, независимо от области их применения. Оптимальный баланс между скоростью, надежностью и ценой, к сожалению, до сих пор не достигнут. Если вдумчиво рассмотреть технологии оперативной памяти, то можно увидеть, что за последние десять лет ничего в них кардинально не менялось. DRAM - достаточно быстрая и требует постоянного питания, статическая память - очень быстрая, но также требует постоянного питания, и к тому же она дорогая. Флэш-память не требует постоянного питания, но медленная, дорогая и мало надежная.

Компании Motorola и IBM, кажется, нашли решение проблемы - магниторезистивное ОЗУ. MRAM (Magnetic random access memory), как будет называться новое воплощение этой технологии, дешевая, быстрая, и не требует постоянной подпитки электроэнергией. В отличие от обычных технологий, используемых в ОЗУ, которые работают с электрическими зарядами, MRAM основана на эффектах магнетизма. По сути, это новый виток использования давным-давно известных принципов записи информации, которые в свое время позволили создать ленты для записи звука и видео и жесткие диски. Когда-то оперативная память больших компьютеров также была сделана на основе магнитных сердечников, и теперь эта технология возвращается на новом уровне, с учетом всех современных требований по емкости и миниатюрности. Разработчики считают, что MRAM сможет заменить все используемые сейчас виды ОЗУ и Flash памяти в тех случаях, когда требуется низкое энергопотребление и надежность хранения данных, как, например, в КПК и портативных компьютерах. Начало коммерческого применения новых модулей ожидается в 2004 году. Более подробно ознакомится с технологией можно на сайте Howstuffworks.com.